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SBE818	文件：261.959 Kbytes Page：4 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE818-TL-E	文件：489.74 Kbytes Page：6 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818-TL-E	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：485.03 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode30V,2A,LowVF,Non-MonolithicDualEMH8CommonCathode Features •Lowswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm) Applications •Highfrequencyrectification	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：63.42 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSchottkyBarrierDiode30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Smallswitchingnoise. •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm). Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SDR818	文件：39.89 Kbytes Page：2 Pages	100AMP50-1200VOLTS60nsecULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIE818DF	文件：192.37 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel75-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIE818DF	文件：192.32 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel75-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR818DP	文件：314.17 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝隆宏业科技有限公司	RK818	ROCKCHIP/瑞芯微	21+	QFN68	10000	只做原装，假一赔十，优势渠道，价格美	询价
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	RK818-3+RK3399	ROCKCHIP	24+	QFN-68	5000	ROCKCHIP原厂支持只做自己现货	询价
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