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RJL6013DPP-E0

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK6013DPP-E0

600V - 11A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.58 Ω typ. (at ID = 5.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching

文件:86.91 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJMG212K21225CR

RJ

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR

RJ

RJP30E2DPP

PBFREE

技术参数

  • 封装类型:

    TO-220FP

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    600

  • ID (A):

    11

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    810

  • Ciss (pF) 典型值:

    1400

  • Pch (W):

    30

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • 系列名称:

    HV-MOS+FRD

  • QG (nC) 典型值:

    38

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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TO-220F
6000
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R
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更多RJL6013DPP-E0供应商 更新时间2026-2-1 14:02:00