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RJL5014DPP-E0

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK5014DPP-E0

500V - 19A - MOS FET High Speed Power Switching

Features Low on-resistance RDS(on)= 0.325Ω typ. (at ID= 9.5 A, VGS= 10 V, Ta = 25°C) Low leakage current High speed switching

文件:87.36 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR
RJ

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR

AMPHENOL
RJ

RJP30E2DPP

RENESAS
PBFREE

技术参数

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V:

    400

  • Series Name:

    HV-MOS+FRD

  • Ciss (pF) typ.:

    1700

  • Nch/Pch:

    Nch

  • QG (nC) typ.:

    43

  • Number of Channels:

    Single

  • Pch (W):

    35

  • VDSS (V) max.:

    500

  • Package Type:

    TO-220FP

  • ID (A):

    19

  • Production Status:

    Non-promotion

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更多RJL5014DPP-E0供应商 更新时间2025-10-12 14:02:00