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RJK6024DPD	文件：80.22 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 28 Ω typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：80.22 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6024DPD	文件：79.07 Kbytes Page：7 Pages	600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：79.07 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6024DPD	文件：1.08706 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08706 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RJK6024DPD-00-J2	文件：80.22 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 28 Ω typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：80.22 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6024DPD_12	文件：79.07 Kbytes Page：7 Pages	600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：79.07 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6024DPD_15	文件：79.07 Kbytes Page：7 Pages	600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：79.07 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6024DPD-00J2	文件：79.07 Kbytes Page：7 Pages	600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：79.07 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6024DPD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

QG (nC) typ.：
4.3
Nch/Pch：
Nch
Vgs (off) (V) max.：
5
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
30
VDSS (V) max.：
600
Pch (W)：
27.2
ID (A)：
0.4
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
42000
Package Type：
MP-3A/TO-252
Ciss (pF) typ.：
37.5
Production Status：
Non-promotion

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