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RJK6024DPD-00-J2	文件：80.22 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 28 Ω typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：80.22 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJK6024DPD-00-J2供应商更新时间2025-11-22 11:01:00