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RJK6014DPP

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK6014DPP-A0

600V - 16A - MOS FET High Speed Power Switching

Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.475  typ. (at ID = 8 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard

文件:173.52 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6014DPP-00-T2

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:77.13 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6014DPP-E0

600V - 16A - MOS FET High Speed Power Switching

文件:90.37 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6014DPP-E0_15

600V - 16A - MOS FET High Speed Power Switching

文件:90.37 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6014DPP-A0

General-Purpose Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK6014DPP-E0

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    TO-220FPA

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    600

  • ID (A):

    16

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    575

  • Ciss (pF) 典型值:

    1800

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    35

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    45

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
2447
TO-220F
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RENESAS/瑞萨
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TO-220FN
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RENESAS
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TO-220F
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更多RJK6014DPP供应商 更新时间2025-10-5 15:01:00