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RJK6014DPP-A0	文件：173.52 Kbytes Page：7 Pages	600V - 16A - MOS FET High Speed Power Switching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.475typ.(atID=8A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJK6014DPP-A0

文件：173.52 Kbytes

Page：7 Pages

600V - 16A - MOS FET High Speed Power Switching

Features Lowon-resistance RDS(on)=0.475typ.(atID=8A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard

RENESASRenesas Technology Corp

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更多RJK6014DPP-A0供应商更新时间2025-5-6 14:01:00