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RJK6012DPP-A0	文件：156.75 Kbytes Page：7 Pages	600V - 10A - MOS FET High Speed Power Switching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.77typ.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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文件：156.75 Kbytes

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600V - 10A - MOS FET High Speed Power Switching

Features Lowon-resistance RDS(on)=0.77typ.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多RJK6012DPP-A0供应商更新时间2025-7-16 14:02:00