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RJK5026DPP-A0	文件：171.41 Kbytes Page：7 Pages	500V - 6A - MOS FET High Speed Power Switching Features Lowon-resistance RDS(on)=1.35typ.(atID=3A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJK5026DPP-A0

文件：171.41 Kbytes

Page：7 Pages

500V - 6A - MOS FET High Speed Power Switching

Features Lowon-resistance RDS(on)=1.35typ.(atID=3A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard

RENESASRenesas Technology Corp

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更多RJK5026DPP-A0供应商更新时间2024-9-26 14:26:00