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RJK5026DPP-A0	文件：171.41 Kbytes Page：7 Pages	500V - 6A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-resistance RDS(on) = 1.35  typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard 文件：171.41 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5026DPP-A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	General-Purpose Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
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