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RJK5013DPP	文件：77.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：77.35 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5013DPP-00-T2	文件：77.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：77.35 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5013DPP-A0	文件：171.16 Kbytes Page：7 Pages	500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.385  typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard 文件：171.16 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5013DPP-E0	文件：88.57 Kbytes Page：7 Pages	500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching * Low on-resistance * RDS(on)= 0.385 typ. (at Id= 7 A, Vgs= 10 V, Ta = 25 C) * Low leakage current * High speed switching 文件：88.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5013DPP-E0_15	文件：88.57 Kbytes Page：7 Pages	500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：88.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5013DPP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas
RJK5013DPP-A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	General-Purpose Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJK5013DPP-E0	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-220FPA
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
500
ID (A)：
14
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
465
Ciss (pF) 典型值：
1450
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
38

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更多RJK5013DPP供应商更新时间2025-10-4 14:06:00

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