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RJK5013DPP-E0

500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

* Low on-resistance * RDS(on)= 0.385 typ. (at Id= 7 A, Vgs= 10 V, Ta = 25 C) * Low leakage current * High speed switching

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RENESAS

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RJK5013DPP-E0

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK5013DPP-E0_15

500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJL5013DPP-E0

500 V - 14 A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Built-in fast recovery diode • Low on-resistance RDS(on) = 0.42 Ω typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching

文件:94.14 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

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技术参数

  • QG (nC) typ.:

    38

  • Nch/Pch:

    Nch

  • Vgs (off) (V) max.:

    4.5

  • Number of Channels:

    Single

  • VGSS (V):

    30

  • VDSS (V) max.:

    500

  • Pch (W):

    30

  • ID (A):

    14

  • Mounting Type:

    Through Hole

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V:

    465

  • Package Type:

    TO-220FP

  • Ciss (pF) typ.:

    1450

  • Production Status:

    Non-promotion

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更多RJK5013DPP-E0供应商 更新时间2025-10-4 14:02:00