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RJK0451DPB	文件：87.17 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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TA0451A	文件：245.01 Kbytes Page：5 Pages	SAWFilter808.0MHz	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
TA0451A	文件：1.09824 Mbytes Page：6 Pages	SAWFilter808MHzSMD3.8횞3.8mm	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TW0451A	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	SMD2.5x2.012.00MHzCrystalOscillator Features: SurfaceMountSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance ExcellentFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature Application: 1.8VSupplyVoltageCMOSOutput Option-ablestand-byfunctionforoutput.	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ0451A	文件：301.75 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.540.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

详细参数

型号：
RJK0451DPB
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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