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RJK0602DPN-E0

N-Channel MOS FET 60 V, 100 A, 3.9 m.

文件:89.67 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0602DPN-E0

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:974.18 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

RJK0602DPN-E0

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK0602DPN-E0_15

N-Channel MOS FET 60 V, 100 A, 3.9 m?

文件:89.68 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0602DPN-E0-T2

N-Channel MOS FET 60 V, 100 A, 3.9 m.

文件:89.67 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

技术参数

  • VGSS (V):

    20

  • Nch/Pch:

    Nch

  • Pch (W):

    150

  • Number of Channels:

    Single

  • Application:

    Low Voltage General Switching

  • VDSS (V) max.:

    60

  • Mounting Type:

    Through Hole

  • ID (A):

    100

  • Package Type:

    TO-220AB

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V:

    3.9

  • Production Status:

    Mass Production

  • Ciss (pF) typ.:

    6450

  • Downloadable:

    SPICE

  • QG (nC) typ.:

    90

  • Web Simulation:

    Renesas VP

  • Vgs (off) (V) max.:

    4

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更多RJK0602DPN-E0供应商 更新时间2026-2-4 10:20:00