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RJK03C1DPB	文件：268.92 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=1.7mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK03C1DPB-00-J5	文件：268.92 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=1.7mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK03C1DPB_15	文件：277.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BIR-NL03C1	文件：633.34 Kbytes Page：2 Pages	INFRAREDEMITTINGDIODES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BNS03C1	文件：109.27 Kbytes Page：2 Pages	MechanicalCamSwitches BNS816-B08-PA-12-602-11 Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA WEEE BasicstandardIEC60947-5-2 DINswitchDIN43697 Operatingprinciple1-8.Switchposition:Inductive VersionInductive	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫集团	Balluff
BPT-NP03C1	文件：253.74 Kbytes Page：5 Pages	SIDE-LOOKPACKAGEPHOTOTRANSISTOR	BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP 步来特电器宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
BPT-NP03C1	文件：309.11 Kbytes Page：1 Pages	BPT-NP13C1	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BPT-NP03C1	文件：395.52 Kbytes Page：1 Pages	SILICONPHOTOTRANSISTOR APPLICATIONS ●RemoteControl,●PhotoDetector,●SmokeDetector,●AutomaticControlSystem●OpticalEncoder ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(Ta=25) ●Collector-to-EmitterSaturationVoltageVce(SAT).(Ib=100uA)/Ic=2mA.........0.4V(Max.) ●Emitter-to-collectorBreakdownVoltage(BVeco)......	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
D-03C1	文件：2.5257 Mbytes Page：45 Pages	DCLineFileters DCLineFileters CommonModeSignalLine	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
FIHAA03C1F	文件：506.29 Kbytes Page：3 Pages	ChassisMountFilter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER

详细参数

型号：
RJK03C1DPB
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	RJK03C1DPB-00-J5	RENESAS	24+	SOT669	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市仟禧电子有限公司	RJK03C1DPB-00-J0	RENESAS/瑞萨	22+	LFPAK	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
艾睿国际（香港）有限公司	RJK03C1DPB-00-J5	RENESAS/瑞萨	2447	SOT669	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	RJK03C1DPB-00-J5IC	RENESAS/瑞萨	23+	SOT669	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市晨豪科技有限公司	RJK03C1DPB-00-J0	RENESAS/瑞萨	23+	LFPAK	89630	当天发货全新原装现货	询价

更多RJK03C1DPB供应商更新时间2025-5-16 22:30:00

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