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RJK03C1DPB-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=1.7mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多RJK03C1DPB-00供应商 更新时间2025-5-25 11:12:00