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厂商型号

RJK0240DNS

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

文件大小

228.68 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 20:00:00

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RJK0240DNS规格书详情

特性 Features

 High speed switching

 Capable of 4.5 V gate drive

 Low drive current

 High density mounting

 Low on-resistance

RDS(on) = 3.6 m typ. (at VGS = 10 V)

 Pb-free

 Halogen-free

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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