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厂商型号

RJK0226DNS

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

文件大小

171.83 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 20:00:00

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RJK0226DNS规格书详情

特性 Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 2.3 mΩ typ. (at VGS = 8 V)

• Pb-free

• Halogen-free

产品属性

  • 型号:

    RJK0226DNS

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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