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RJK0226DNS

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.3 mΩ typ. (at VGS = 8 V) • Pb-free • Halogen-free

文件:171.83 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0226DNS

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Renesas

瑞萨

RPI-0226

Photointerrupter, Ultraminiature SMD type

文件:68.02 Kbytes 页数:2 Pages

ROHM

罗姆

SEN0226

Gravity: I2C BMP280 Barometer Sensor SKU: SEN0226

文件:218.05 Kbytes 页数:5 Pages

DFRobotDFROBOT

上海智位机器人股份有限公司

TZ0226A

SMD 4.0x2.5 24.0MHz Crystal Unit

Features: Surface Mount Seam Weld Package Excellent Reliability Performance Good Frequency Perturbation and Stability over Temperature Description and Applications: Surface mount 4.0mmx2.5mm crystal unit for use in wireless telecommunications devices, especially for a need of ultra miniatu

文件:226.06 Kbytes 页数:5 Pages

TAI-SAW

嘉硕科技

详细参数

  • 型号:

    RJK0226DNS

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多RJK0226DNS供应商 更新时间2025-11-30 14:01:00