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RJK0208DPA-00-J53

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    RJK0208DPA-00-J53

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

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更多RJK0208DPA-00-J53供应商 更新时间2024-6-6 16:36:00