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RJH60F6DPK	文件：87.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=95nstyp.(atIC=30A,ResistiveLoad,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJH60F6DPK

文件：87.98 Kbytes

Page：7 Pages

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=95nstyp.(atIC=30A,ResistiveLoad,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω

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更多RJH60F6DPK功率三极管供应商更新时间2024-6-2 17:18:00

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