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RJH60F6DPK	文件：87.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=95nstyp.(atIC=30A,ResistiveLoad,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F6DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
RJH60F6DPK-00-T0	文件：87.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=95nstyp.(atIC=30A,ResistiveLoad,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F6DPK_11	文件：92.68 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F6DPK_15	文件：92.68 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F6DPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P	ETC	ETC

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3P
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
170
IC (A) @25 °C：
85
IC (A) @100 °C：
45
VCE (sat)(V)：
1.35
tf (µs) 典型值：
0.074
FRD Vf (V)：
1.6
FRD trr (ns)：
140
Pch (W)：
297.6
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

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更多RJH60F6DPK供应商更新时间2025-7-30 10:12:00

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