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RJH60F6DPK	文件：87.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf= 95 ns typ. (at IC= 30 A, Resistive Load, VCC= 300 V, VGE= 15 V, Rg = 5Ω  文件：87.98 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F6DPK-00-T0	文件：87.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf= 95 ns typ. (at IC= 30 A, Resistive Load, VCC= 300 V, VGE= 15 V, Rg = 5Ω  文件：87.98 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F6DPK_11	文件：92.68 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：92.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F6DPK_15	文件：92.68 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：92.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F6DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60F6DPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3P
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
170
IC (A) @25 °C：
85
IC (A) @100 °C：
45
VCE (sat)(V)：
1.35
tf (µs) 典型值：
0.074
FRD Vf (V)：
1.6
FRD trr (ns)：
140
Pch (W)：
297.6
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

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更多RJH60F6DPK供应商更新时间2025-10-14 11:26:00

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