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RJH60A83RDPP-M0	文件：119.38 Kbytes Page：9 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter Features  Reverse conducting IGBT with monolithic diode  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built-in fast recovery diode (trr = 130 ns typ.) in one package  Trench gate and th 文件：119.38 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60A83RDPP-M0	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60A83RDPP-M0_15	文件：120.1 Kbytes Page：9 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter 文件：120.1 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60A83RDPP-M0#T2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 30W TO-220FL	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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更多RJH60A83RDPP-M0供应商更新时间2025-10-6 14:04:00