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RJH60A83RDPP-M0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

RJH60A83RDPP-M0

参数属性

RJH60A83RDPP-M0 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 30W TO-220FL

功能描述

600V - 10A - IGBT Application: Inverter

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

119.38 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-4 18:08:00

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RJH60A83RDPP-M0规格书详情

特性 Features

 Reverse conducting IGBT with monolithic diode

 Short circuit withstand time (5 s typ.)

 Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 2.1 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

 Built-in fast recovery diode (trr = 130 ns typ.) in one package

 Trench gate and thin wafer technology

 High speed switching

tf = 45 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 10 A, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)

产品属性

  • 产品编号:

    RJH60A83RDPP-M0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    230µJ(开),160µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/54ns

  • 测试条件:

    300V,10A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FL

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 30W TO-220FL

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