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RHRP30120U	文件：1.72753 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereSwitchModeUltrafastRecoveryEpitaxialDiode PRODUCTFEATURE •UltrafastRecoveryTime •SoftRecoveryCharacteristics •LowRecoveryLoss •LowForwardVoltage •HighSurgeCurrentCapability •LowLeakageCurrent APPLICATION •Freewheeling,Snubber,Clamp •InversionWelder •PFC •PlatingPowerSupply •UltrasonicCleanerand	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
RU30120L	文件：283.34 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU30120L	文件：1.86399 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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RURG30120	文件：31.88 Kbytes Page：3 Pages	30A,1200VUltrafastDiode TheRURG30120isanultrafastdiodewithsoftrecoverycharacteristic(trr Features •UltrafastwithSoftRecovery..................	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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