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RHP020N06	文件：65.51 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；4V Drive Nch MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. 3) Wide SOA. Applications Switching 文件：65.51 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RHP020N06	文件：160.69 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive Nch MOSFET Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. 3) Wide SOA. Applications Switching 文件：160.69 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RHP020N06	文件：228.01 Kbytes Page：5 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；4V Drive Nch MOSFET 文件：228.01 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RHP020N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RHP020N06FRA	文件：458.7 Kbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch MOSFET Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. 3) Wide SOA. Applications Switching 文件：458.7 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RHP020N06T100	文件：160.69 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive Nch MOSFET Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. 3) Wide SOA. Applications Switching 文件：160.69 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RHP020N06_09	文件：228.01 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：228.01 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RHP020N06FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V驱动型 Nch MOSFET (AEC-Q101标准) 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.24
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.15
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.24
Total gate charge Qg[nC]：
7
Power Dissipation (PD)[W]：
2
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.5x4 (t=1.5)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	RHP020N06	ROHM	19+	SOT-89	16998		询价
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更多RHP020N06供应商更新时间2026-1-23 9:42:00

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