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RGTV60TK65D

短路耐量 2µs, 650V 30A,内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT

RGTV60TK65D是低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Short Circuit Withstand Time 2μs\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant\n;

ROHM

罗姆

RGTV60TK65D

丝印:RGTV60TK65D;Package:TO-3PFM;650V 30A Field Stop Trench IGBT

Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) High Speed Switching & Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 2μs 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Applications Solar Inverter UPS Welding IH PFC

文件:1.82289 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RGTV60TK65DGVC11

Package:TO-3PFM,SC-93-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

ROHM

罗姆

RGTH60TK65

650V 30A Field Stop Trench IGBT

文件:743.35 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

RGTH60TK65D

650V 30A Field Stop Trench IGBT

文件:885.66 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGTV60TK65

650V 30A Field Stop Trench IGBT

Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) High Speed Switching & Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 2μs 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Applications Solar Inverter UPS Welding IH PFC

文件:1.54222 Mbytes 页数:10 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-3PFM

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    TV

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    20

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.5

  • tf(Typ.) [ns]:

    40

  • tsc(Min.) [us]:

    2

  • Built-in Diode:

    FRD

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RGTV60TK65D供应商 更新时间2025-11-29 15:01:00