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RGTV60TK65D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RGTV60TK65D
厂商型号

RGTV60TK65D

参数属性

RGTV60TK65D 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

650V 30A Field Stop Trench IGBT

丝印标识

RGTV60TK65D

封装外壳

TO-3PFM / TO-3PFM,SC-93-3

文件大小

1.82289 Mbytes

页面数量

12

生产厂商 Rohm
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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RGTV60TK65D规格书详情

特性 Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching & Low Switching Loss

3) Short Circuit Withstand Time 2μs

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Applications

Solar Inverter

UPS

Welding

IH

PFC

产品属性

  • 产品编号:

    RGTV60TK65DGVC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    570µJ(开),500µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    33ns/105ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3PFM,SC-93-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PFM

  • 描述:

    650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

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