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RGT00TS65D

短路耐量 5µs, 650V 50A,内置快速反向恢复二极管, TO-247GE, 沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n2) Low Switching Loss\n3) Short Circuit Withstand Time 5us\n4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGT00TS65D

650V 50A Field Stop Trench IGBT

文件:733.69 Kbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RGT00TS65DGC13

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

ROHM

罗姆

RGTH00TS65

650V 50A Field Stop Trench IGBT

文件:687.69 Kbytes 页数:10 Pages

ROHM

罗姆

RGTH00TS65D

650V 50A Field Stop Trench IGBT

文件:671.66 Kbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RGTV00TS65

650V 50A Field Stop Trench IGBT

文件:1.16631 Mbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-247GE

  • 包装数量:

    600

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    T

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    50

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.65

  • tf(Typ.) [ns]:

    62

  • tsc(Min.) [us]:

    5

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    277

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    15.94x20.95 (t=5.02)

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更多RGT00TS65D供应商 更新时间2025-12-10 11:10:00