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RGS60TS65D

650V 30A Field Stop Trench IGBT

文件:901.12 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGS60TS65DHR

短路耐量 8µs, 650V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT

RGS60TS65DHR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。 适用于注重导通损耗的电动压缩机的逆变电路和PTC加热器的开关电路。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Short Circuit Withstand Time 8μs\n• Qualified to AEC-Q101\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGS60TS65DHRC11

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.

ROHM

罗姆

RGT60TS65D

650V 30A Field Stop Trench IGBT

文件:731.53 Kbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RGTH60TS65

650V 30A Field Stop Trench IGBT

文件:1.02913 Mbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

RGTH60TS65D

650V 30A Field Stop Trench IGBT

文件:731.67 Kbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-247N

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    S

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    30

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.65

  • tf(Typ.) [ns]:

    101

  • tsc(Min.) [us]:

    8

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    223

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

  • Common Standard:

    AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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ROHM/罗姆
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更多RGS60TS65D供应商 更新时间2025-12-10 15:15:00