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RGS60TS65DHR中文资料短路耐量 8µs, 650V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGS60TS65DHR

参数属性

RGS60TS65DHR 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.

功能描述

短路耐量 8µs, 650V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.

封装外壳

TO-247-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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RGS60TS65DHR规格书详情

描述 Description

RGS60TS65DHR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。 适用于注重导通损耗的电动压缩机的逆变电路和PTC加热器的开关电路。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Short Circuit Withstand Time 8μs
• Qualified to AEC-Q101
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGS60TS65DHR属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGS60TS65DHR晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RGS60TS65DHR

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-247N

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :30

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :S: For inverter (tsc 8-10µs)

  • VCES [V]

    :650

  • IC(100°C)[A]

    :30

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.65

  • tf(Typ.) [ns]

    :101

  • tsc(Min.) [us]

    :8

  • Built-in Diode

    :FRD

  • Pd [W]

    :223

  • BVCES (Min.)[V]

    :650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x21 (t=5.2)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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