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RGS60TS65DHR中文资料短路耐量 8µs, 650V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

厂商型号 |
RGS60TS65DHR |
参数属性 | RGS60TS65DHR 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. |
功能描述 | 短路耐量 8µs, 650V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ROHM Rohm |
中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 22:59:00 |
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RGS60TS65DHR规格书详情
描述 Description
RGS60TS65DHR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。 适用于注重导通损耗的电动压缩机的逆变电路和PTC加热器的开关电路。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
特性 Features
• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Short Circuit Withstand Time 8μs
• Qualified to AEC-Q101
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
简介
RGS60TS65DHR属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGS60TS65DHR晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:RGS60TS65DHR
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TO-247N
- 包装数量
:450
- 最小独立包装数量
:30
- 包装形态
:Tube
- RoHS
:Yes
- Series
:S: For inverter (tsc 8-10µs)
- VCES [V]
:650
- IC(100°C)[A]
:30
- VCE(sat) (Typ.) [V]
:1.65
- tf(Typ.) [ns]
:101
- tsc(Min.) [us]
:8
- Built-in Diode
:FRD
- Pd [W]
:223
- BVCES (Min.)[V]
:650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:175
- Package Size [mm]
:16x21 (t=5.2)
- Common Standard
:AEC-Q101 (Automotive Grade)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
500 |
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询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
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ROHM Semiconductor |
23+ |
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ROHM |
21+ |
- |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
TO247 |
880000 |
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新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
询价 | ||||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ROHM |
25+ |
TO-247N-3 |
400 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO-247N |
3000 |
原装正品 |
询价 |