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RGS50TSX2DHR中文资料短路耐量 10µs, 1200V 25A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGS50TSX2DHR

参数属性

RGS50TSX2DHR 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

短路耐量 10µs, 1200V 25A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT
1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

封装外壳

TO-247-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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RGS50TSX2DHR规格书详情

描述 Description

RGS50TSX2DHR是一款面向车载和工业设备领域,用于逆变器的IGBT。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Short Circuit Withstand Time 10μs
• Qualified to AEC-Q101
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGS50TSX2DHR属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGS50TSX2DHR晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RGS50TSX2DHR

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-247N

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :30

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :S: For inverter (tsc 8-10µs)

  • VCES [V]

    :1200

  • IC(100°C)[A]

    :25

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.7

  • tf(Typ.) [ns]

    :205

  • tsc(Min.) [us]

    :10

  • Built-in Diode

    :FRD

  • BVCES (Min.)[V]

    :1200

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x21 (t=5.2)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

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