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RGS50TSX2D	文件：1.05512 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RGS50TSX2D；Package：TO-247N；1200V 25A Field Stop Trench IGBT	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RGS50TSX2DHR	文件：1.04788 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RGS50TSX2D；Package：TO-247N；1200V 25A Field Stop Trench IGBT Features 1)LowCollector-EmitterSaturationVoltage 2)ShortCircuitWithstandTime10μs 3)QualifiedtoAEC-Q101 4)BuiltinVeryFast&SoftRecoveryFRD 5)Pb-freeLeadPlating;RoHSCompliant Application GeneralInverter forAutomotiveandIndustrialUse	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RGS50TSX2DHR	文件：300 bytes Page：1 Pages	短路耐量 10µs, 1200V 25A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用沟槽式场截止型 IGBT; • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Short Circuit Withstand Time 10μs\n• Qualified to AEC-Q101\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant\n; RGS50TSX2DHR是一款面向车载和工业设备领域，用于逆变器的IGBT。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RGS50TSX2DGC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
RGS50TSX2DHRC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
RGS50TSX2	文件：994.91 Kbytes Page：11 Pages	1200V25AFieldStopTrenchIGBT	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

封装：
TO-247N
包装数量：
450
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Series：
S
VCES [V]：
1200
IC(100°C)[A]：
25
VCE(sat) (Typ.) [V]：
1.7
tf(Typ.) [ns]：
205
tsc(Min.) [us]：
10
Built-in Diode：
FRD
BVCES (Min.)[V]：
1200
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
16x21 (t=5.2)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RGS50TSX2D供应商更新时间2025-7-29 8:51:00

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