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RGS50TSX2D

丝印:RGS50TSX2D;Package:TO-247N;1200V 25A Field Stop Trench IGBT

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ROHM

罗姆

RGS50TSX2DHR

丝印:RGS50TSX2D;Package:TO-247N;1200V 25A Field Stop Trench IGBT

Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) Short Circuit Withstand Time 10μs 3) Qualified to AEC-Q101 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD 5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Application General Inverter for Automotive and Industrial Use

文件:1.04788 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGS50TSX2D

短路耐量10µs, 1200V 25A, 内置FRD, Field Stop Trench IGBT

RGS50TSX2D适用于通用变频器、UPS、PV变频器和功率调节器等,是短路耐量为10µs的产品。RGS系列实现了低导通损耗(Vce(sat.)),有助于应用的小型、高效化。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Short Circuit Withstand Time 10μs\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGS50TSX2DHR

短路耐量 10µs, 1200V 25A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N, 车载用 沟槽式场截止型 IGBT

RGS50TSX2DHR是一款面向车载和工业设备领域,用于逆变器的IGBT。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Short Circuit Withstand Time 10μs\n• Qualified to AEC-Q101\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGS50TSX2DGC11

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

RGS50TSX2DHRC11

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • 封装:

    TO-247N

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    S

  • VCES [V]:

    1200

  • IC(100°C)[A]:

    25

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.7

  • tf(Typ.) [ns]:

    205

  • tsc(Min.) [us]:

    8

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    395

  • BVCES (Min.)[V]:

    1200

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

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更多RGS50TSX2D供应商 更新时间2025-10-6 10:01:00