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RGCL80TK60D

低VCE(sat) 型, 600V 40A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。 • Low Collector-Emitter Saturation Voltage\n• Soft Switching\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)\n• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGCL80TK60D

600V 40A Field Stop Trench IGBT

文件:909.71 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGCL80TK60DGC11

Package:TO-3PFM,SC-93-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

RGCL80TK60

600V 40A Field Stop Trench IGBT

文件:763.67 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-3PFM

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    450

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    CL

  • VCES [V]:

    600

  • IC(100°C)[A]:

    21

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.4

  • tf(Typ.) [ns]:

    204

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    57

  • BVCES (Min.)[V]:

    600

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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更多RGCL80TK60D供应商 更新时间2025-10-5 11:10:00