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RGCL80TK60D中文资料低VCE(sat) 型, 600V 40A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGCL80TK60D

参数属性

RGCL80TK60D 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT

功能描述

低VCE(sat) 型, 600V 40A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT
IGBT

封装外壳

TO-3PFM,SC-93-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-10-13 20:00:00

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RGCL80TK60D规格书详情

描述 Description

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Soft Switching
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant

简介

RGCL80TK60D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGCL80TK60D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RGCL80TK60D

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-3PFM

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :450

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :CL: Low VCE(sat)

  • VCES [V]

    :600

  • IC(100°C)[A]

    :21

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.4

  • tf(Typ.) [ns]

    :204

  • Built-in Diode

    :FRD

  • Pd [W]

    :57

  • BVCES (Min.)[V]

    :600

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x21 (t=5.2)

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