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RGCL80TK60D中文资料低VCE(sat) 型, 600V 40A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书
RGCL80TK60D规格书详情
描述 Description
罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。
特性 Features
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Soft Switching
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
简介
RGCL80TK60D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGCL80TK60D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:RGCL80TK60D
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TO-3PFM
- 包装数量
:450
- 最小独立包装数量
:450
- 包装形态
:Tube
- RoHS
:Yes
- Series
:CL: Low VCE(sat)
- VCES [V]
:600
- IC(100°C)[A]
:21
- VCE(sat) (Typ.) [V]
:1.4
- tf(Typ.) [ns]
:204
- Built-in Diode
:FRD
- Pd [W]
:57
- BVCES (Min.)[V]
:600
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:175
- Package Size [mm]
:16x21 (t=5.2)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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