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RFP70N06中文资料N 沟道,功率 MOSFET,60V,70A,14mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

RFP70N06

功能描述

N 沟道,功率 MOSFET,60V,70A,14mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:38:00

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RFP70N06规格书详情

描述 Description

这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA78440。

特性 Features

•70A, 60V
•rDS(ON)= 0.014Ω
•温度补偿式PSPICE®模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS等级曲线(单脉冲)
•175°C工作温度
•相关文献

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :RFP70N06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :70

  • PD Max (W)

    :140

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :14

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :65

  • Ciss Typ (pF)

    :2250

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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