RFP50N06中文资料N 沟道，功率 MOSFET，60V，50A，22mΩ数据手册ONSEMI规格书
RFP50N06规格书详情
描述 Description
这些N沟道功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA49018。
特性 Features
•50A, 60V
•rDS(ON)= 0.022Ω
•温度补偿式PSPICE®模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•175°C工作温度
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：RFP50N06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：50
- PD Max (W)
：131
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：67
- Ciss Typ (pF)
：2020
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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24+ |
5000 |
公司存货 |
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TO-220 |
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询价 | ||||
哈里斯 |
24+ |
TO220 |
5000 |
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FAIRCHILD |
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TO-220 |
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2023+ |
TO-220 |
50000 |
原装现货 |
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FAIRCHILD |
22+ |
TO-220AB |
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Fairchild |
0441+ |
TO-220AB |
10 |
普通 |
询价 |
