50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

These are logic-level N-channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use with logic-level (5V) drivi • 50A, 50V\n• rDS(ON) = 0.022Ω\n• UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)\n• Design Optimized for 5V Gate Drive\n• Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, TTL Circuits\n• Compatible with Automotive Drive Requirements\n• SOA is Power Dissipation Limited\n• Nanosecond Switching Speeds\n• Linear Transfer C;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，功率 MOSFET，60V，50A，22mΩ

这些N沟道功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA49018。 •50A, 60V\n•rDS(ON)= 0.022Ω\n•温度补偿式PSPICE®模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•175°C工作温度;

ONSEMI

安森美半导体

Trans MOSFET N-CH 50V 50A

NJS

新泽西半导体

包装：散装 类别：工具 配件 描述：(RFP) RFP500, PAD, 15\

Brady Corporation