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RFM12N08L	文件：101.13 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Logic Level Power Field-Effect Transistors (L2 FET) TheRFM12N08LandRFM12N10LandtheRFP12N08LandRFP12N10Laren-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddriver	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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MTP12N08	文件：280.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12N08L	文件：113.29 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
PJD12N08	文件：383.75 Kbytes Page：8 Pages	75VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PSR12N08AK	文件：120.22 Kbytes Page：1 Pages	SalesOutlineDrawing	MSPIMallory Sonalert Products Inc 马洛里马洛里索纳特产品有限公司	MSPI
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