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STD3055L	文件：765.38 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STD3055L	文件：1.68787 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD3055NL	文件：814.74 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STLC3055	文件：153.98 Kbytes Page：22 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT DESCRIPTION TheSTLC3055isaSLICdevicespecificallydesignedforWLL(WirelessLocalLoop)andISDNTerminalAdaptors.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from+5.5Vto+15.8V)andselfgeneratethenegativebatterybymea	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC3055N	文件：315.8 Kbytes Page：25 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT Description TheSTLC3055NisaSLICdevicespecificallydesignedforwirelesslocalloop(WLL)andISDNterminaladaptors(ISDN-TA)andVoIPapplications.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from5.5Vto12V)andselfge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC3055Q	文件：153.98 Kbytes Page：22 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT DESCRIPTION TheSTLC3055isaSLICdevicespecificallydesignedforWLL(WirelessLocalLoop)andISDNTerminalAdaptors.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from+5.5Vto+15.8V)andselfgeneratethenegativebatterybymea	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC3055QTR	文件：153.98 Kbytes Page：22 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT DESCRIPTION TheSTLC3055isaSLICdevicespecificallydesignedforWLL(WirelessLocalLoop)andISDNTerminalAdaptors.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from+5.5Vto+15.8V)andselfgeneratethenegativebatterybymea	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU3055L	文件：765.38 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU3055NL	文件：814.74 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STUD3055L	文件：125.69 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

详细参数

型号：
RFD3055LESM_Q
功能描述：
MOSFET TO-252AA N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RFD3055LESM_Q供应商更新时间2025-7-18 16:01:00

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