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SID3055	文件：1.59435 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SID3055	文件：960.7 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPN3055	文件：205.84 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheSPN3055istheN-Channellogicenhancementmode powerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcell density,DMOStrenchtechnology. Thishighdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance.Thesedevicesare particularlysuitedfo	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SPN3055	文件：985.98 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SR-3055	文件：140.18 Kbytes Page：1 Pages	SNAP-RIVETS	RICHCO Richco, Inc.	RICHCO
SR-3055	文件：74.11 Kbytes Page：1 Pages	SNAP-RIVETS	RICHCO Richco, Inc.	RICHCO
SSD3055	文件：1.0655 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSD3055	文件：512.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSD3055	文件：756.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSF3055	文件：275.43 Kbytes Page：3 Pages	Batteryprotection	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON

详细参数

型号：
RFD3055LESM_Q
功能描述：
MOSFET TO-252AA N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RFD3055LESM_Q供应商更新时间2025-7-18 16:01:00

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