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RF3L05250CB4	文件：490.19 Kbytes Page：12 Pages	250 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Features •Highefficiencyandlineargainoperations •IntegratedESDprotection •Largepositiveandnegativegate-sourcevoltagerangeforimprovedclassC operation •IncompliancewiththeEuropeandirective2002/95/EC Description TheRF3L05250CB4isa250W,28/32V,LDMOSFETdesig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
RF3L05250CB4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：LBB 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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RF3L05250CB4

文件：490.19 Kbytes

Page：12 Pages

250 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features •Highefficiencyandlineargainoperations •IntegratedESDprotection •Largepositiveandnegativegate-sourcevoltagerangeforimprovedclassC operation •IncompliancewiththeEuropeandirective2002/95/EC Description TheRF3L05250CB4isa250W,28/32V,LDMOSFETdesig

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

RF3L05250CB4

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：LBB 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
RF3L05250CB4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1GHz
增益：
18dB
额定电流（安培）：
1µA
功率 - 输出：
250W
封装/外壳：
LBB
供应商器件封装：
LBB
描述：
250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA

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