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RD3P200SN	文件：309.24 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RD3P200SNFRA	文件：2.60456 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RD3P200SN；Package：TO-252；Nch 100V 20A Power MOSFET 文件：2.60456 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P200SN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 20A 功率MOSFET RD3P200SN是低导通电阻功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P200SNFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 20A 车载功率MOSFET RD3P200SNFRA is a power MOSFET for automotive, suitable for swithing applications. • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
20
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.036
Total gate charge Qg[nC]：
55
Power Dissipation (PD)[W]：
20
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多RD3P200SN供应商更新时间2026-1-29 13:02:00

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