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RD3P175SN	文件：2.76712 Mbytes Page：16 Pages	Nch 100V 17.5A Power MOSFET 文件：2.76712 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P175SN	文件：309.49 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RD3P175SNFRA	文件：2.58205 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RD3P175SN；Package：TO-252；Nch 100V 17.5A Power MOSFET 文件：2.58205 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P175SN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 17.5A 功率MOSFET RD3P175SN是低导通电阻功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance.\n• Drive circuits can be simple.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P175SNFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 17.5A 车载功率MOSFET RD3P175SNFRA是低导通电阻的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
17.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.085
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.085
Total gate charge Qg[nC]：
24
Power Dissipation (PD)[W]：
20
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RD3P175SN供应商更新时间2026-1-29 13:02:00

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