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RD3P130SP	文件：2.90386 Mbytes Page：16 Pages	Pch -100V -13A Power MOSFET 文件：2.90386 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P130SP	文件：309.05 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：309.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RD3P130SPFRA	文件：2.71877 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RD3P130SP；Package：TO-252；Pch -100V -13A Power MOSFET 文件：2.71877 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P130SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -100V -13A 功率MOSFET RD3P130SP是低导通电阻的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P130SPFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -100V -13A 车载功率MOSFET RD3P130SPFRA是低导通电阻的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-100
Drain Current ID[A]：
-13
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.155
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.15
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.155
Total gate charge Qg[nC]：
40
Power Dissipation (PD)[W]：
20
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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