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RD3P01BAT	文件：2.73135 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3P01BAT；Package：TO-252；Pch -100V -10A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 Rg and UIS tested 5) Halogen free Application Switching 文件：2.73135 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P01BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -100V -10A Power MOSFET RD3P01BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications. • Low on - resistance\n• High power small mold package\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% Rg and UIS tested\n• Halogen free;	ROHM 罗姆	ROHM
UT3P01Z	文件：173.5 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.5 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3P01Z	文件：173.32 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.32 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-100
Drain Current ID[A]：
-10
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.21
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.181
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.21
Total gate charge Qg[nC]：
12.3
Power Dissipation (PD)[W]：
25
Drive Voltage[V]：
-6
Trr (Typ.)[ns]：
42
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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