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UT3P01Z	文件：173.32 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.32 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3P01Z	文件：173.5 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.5 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3P01Z_10	文件：173.5 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.5 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3P01ZG-AE2-R	文件：173.5 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.5 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3P01ZG-AE2-R	文件：1.78141 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.78141 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT3P01ZG-AL3-R	文件：173.5 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.5 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3P01ZG-AN3-R	文件：173.5 Kbytes Page：4 Pages	P CHANNEL POWER MOSFET 文件：173.5 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3P01Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (P-CH) The UT3P01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operated with low gate voltages. This device can be applied to general-purpose switching devices applications. • RDS(ON) = 8 Ω @VGS = -4 V \n• Ultra Low Gate Charge ( typical 1.43 nC ) \n• Low Reverse Transfer Capacitance ( CRSS = typical 1.8 pF ) \n• Fast Switching Capability \n• Avalanche Energy Specified \n• Improved dv/dt Capability, High Ruggedness \n• Halogen Free;	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±10
ID(A)：
-0.1
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V：
15400
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.5V：
54000
CISSTYP.(pF)：
7.5
COSSTYP.(pF)：
5.7
CRSSTYP.(pF)：
1.8
QgTYP.(nC)：
1.43
QgsTYP.(nC)：
0.18
QgdTYP.(nC)：
0.25
VGS(th)(V)MIN.：
-0.4
VGS(th)(V)MAX.：
-1.4
Package：
SOT-523_SOT-323_SOT-23-3_SOT-723_DFN1010-4_DFN1010-6_DFN1616-6_DFN1820-6_DFN2020-6_DFN2030-6_DFN2020-8_PDFN3×3_PDFN5×6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UT3P01Z供应商更新时间2025-5-17 16:47:00

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