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RD3N06BAT	文件：2.67021 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3N06BAT；Package：TO-252；Pch -80V -60A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4)Halogen free 5)100% Rg and UIS tested Application Switching Motor drives 文件：2.67021 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3N06BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET RD3N06BAT is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for Switching and Motor drives applications. • Low on - resistance\n• High power package (TO-252)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
UT3N06	文件：163.79 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：163.79 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3N06	文件：140.84 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：140.84 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3N06-Q	文件：231.09 Kbytes Page：6 Pages	3.0A, 60V N-CHANNEL POWER  DESCRIPTION The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields.  FEATURES * RDS(ON) ≤ 110 mΩ @ VGS=10V, ID=3.0A RDS(ON) ≤ 150 mΩ @ VGS 文件：231.09 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Status：
推荐品
封装：
TO-252
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-80
Drain Current ID[A]：
-60
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.0195
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：
0.023
Total gate charge Qg[nC]：
67
Power Dissipation (PD)[W]：
101
Drive Voltage[V]：
-6
Trr (Typ)[ns]：
40
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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