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RD3L08CBLHRB	文件：2.68358 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3L08CBL；Package：TO-252；Nch 60V 80A Power MOSFET Features Low on-resistance Pb-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.68358 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L08CBLHRB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3L08CBLHRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body. • Low on-resistance\n• Pb-free plating;RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L08CGN	文件：310.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RD3L08CGN	文件：2.59684 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 80A Power MOSFET 文件：2.59684 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L08DBKHRB	文件：2.62005 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 80A Power MOSFET Features Low on-resistance Pb-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.62005 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252 (TL)
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
80
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：
0.0052
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.0041
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)：
0.0052
Total gate charge Qg[nC]：
19
Power Dissipation (PD)[W]：
96
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ)[ns]：
44
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
175
Package Size [mm]：
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RD3L08CBLHRB供应商更新时间2026-2-1 13:02:00

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