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RD3L04BBJHRB	文件：2.78643 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3L04BBJ；Package：TO-252；Pch -60V -48A Power MOSFET Features Low on-resistance Pb-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.78643 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L04BBJHRB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3L04BBJHRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body. • Low on-resistance\n• Pb-free plating;RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L04BBKHRB	文件：2.85999 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 40A Power MOSFET Features Low on-resistance Pd-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.85999 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L04BBLHRB	文件：2.60617 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 40A Power MOSFET Features Low on-resistance Pd-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.60617 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252 (TL)
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-60
Drain Current ID[A]：
-48
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)：
0.026
Total gate charge Qg[nC]：
23
Power Dissipation (PD)[W]：
77
Drive Voltage[V]：
-4.5
Trr (Typ)[ns]：
21
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
175
Package Size [mm]：
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RD3L04BBJHRB供应商更新时间2026-1-25 13:02:00

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