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RD3L03BBG	文件：2.80472 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RD3L03BBG；Package：TO-252；Nch 60V 50A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching 文件：2.80472 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L03BBG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 50A, TO-252, Power MOSFET RD3L03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching. • Low on - resistance\n• High power package (TO-252)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L03BBJHRB	文件：2.60366 Mbytes Page：14 Pages	Pch -60V -29A Power MOSFET Features Low on-resistance Pd-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.60366 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HER3L03G	文件：281.72 Kbytes Page：7 Pages	3A, 200V - 600V Glass Passivated High Efficient Rectifier 文件：281.72 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
NB3L03	文件：173.57 Kbytes Page：4 Pages	2.8 V, High Precision 1:3 Clock Fanout Buffer 文件：173.57 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
RD3L03BAT	文件：2.66904 Mbytes Page：14 Pages	Pch -60V -35A Power MOSFET 文件：2.66904 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
50
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0121
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0121
Total gate charge Qg[nC]：
7.1
Power Dissipation (PD)[W]：
50
Drive Voltage[V]：
4.5
Trr (Typ.)[ns]：
34
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多RD3L03BBG供应商更新时间2025-10-12 14:00:00

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